DMN3009SSS-13, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041297577
- Артикул
- DMN3009SSS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 1
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 91,92 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 8V-24V
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 15 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 42 nC |
| Время нарастания | 4.1 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.8 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 15 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 31 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |