Моя заявка (0)
DMN3009SFGQ-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026586122
Артикул
DMN3009SFGQ-7
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
9
Структура
MOSFET
Особенности
-
Пороговое напряжение на затворе
-20 V, +20 V
Цена по запросу
(от 154,09 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 30V 16A Автомобильный AEC-Q101 с 8-контактным разъемом PowerDI EP T/R

Технические параметры

Вес, г9
СтруктураMOSFET
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация