Моя заявка (0)

DMN3008SFGQ-7, 30V 62A 4.4mOhm@10V,13.5A 2.1W 2.3V@250uA 1 N-channel PowerDI-3333-8 MOSFETs ROHS

DMN3008SFGQ-7, 30V 62A 4.4mOhm@10V,13.5A 2.1W 2.3V@250uA 1 N-channel PowerDI-3333-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070187995
Артикул
DMN3008SFGQ-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Вес, г
0.2
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 114,17 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Вес, г0.2
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI3333-8
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:86 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2000
Pd - Power Dissipation:2.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:23 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:4.4 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V

Техническая документация