Моя заявка (0)
DMN3007LSSQ-13, MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004613383
Артикул
DMN3007LSSQ-13
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
11
Структура
N-Channel
Технология
Si
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 121,02 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор МОП-транзисторBVDSS: 25V-30V

Технические параметры

Вес, г11
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада43.6 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSO-8
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора64.2 nC
Время нарастания14.8 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности2.5 W
Id - непрерывный ток утечки16 A
Крутизна характеристики, S16.4 S
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+150 C
Типичное время задержки выключения85.1 ns
Типичное время задержки при включении10.3 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.16.4 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В20 V, +20 V
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5 mOhms

Техническая документация