DMN2991UTQ-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 3K
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018754269
- Артикул
- DMN2991UTQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Product:
- MOSFETs
- Вес, г
- 18.3
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Product: | MOSFETs |
| Вес, г | 18.3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 350 pC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 280 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 300 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |