DMN2990UFZ-7B, 20V 250mA 320mW 990mOhm@4.5V,100mA N Channel X2-DFN0606-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025167600
- Артикул
- DMN2990UFZ-7B
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.04
- Серия
- DMN2990
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 59 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 20V N-Ch Enh FET Dual .25A .32W 389pF
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Серия | DMN2990 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 7.7 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X2-DFN0606-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 1 nC |
| Время нарастания | 2.1 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 320 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 250 mA |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 990 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 22 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 180 mS |