DMN2990UFA-7B,Power MOSFET, N Channel, 20 V, 510 mA, 0.99 ohm, X2-DFN0806, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004512557
- Артикул
- DMN2990UFA-7B
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Brand
- Diodes Incorporated
- Series
- DMN2990
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K
Технические параметры
| PPAP | No |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Series | DMN2990 |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Fall Time | 6.4 ns |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 3.3 ns |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.454 |
| Серия | DMN2990 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | X2-DFN0806-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | Small Signal |
| Qg - Gate Charge | 500 pC |
| Supplier Package | X2-DFN |
| Maximum IDSS (uA) | 0.1 |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 10000 |
| Standard Package Name | DFN |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 6.4 ns |
| Pd - Power Dissipation | 400 mW |
| Typical Fall Time (ns) | 6.4 |
| Typical Rise Time (ns) | 3.3 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 4 ns |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 19 ns |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X2-DFN0806-3 |
| Id - Continuous Drain Current | 510 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Forward Transconductance - Min | 180 mS |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 400 |
| Qg - заряд затвора | 500 pC |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.5 4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4 |
| Время нарастания | 3.3 ns |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 990 mOhms |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 19 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.51 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 27.6 16V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 990 4.5V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 400 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 510 mA |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 990 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.51 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 180 mS |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.99 Ом |