DMN2990UDJ-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT963,10K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005475183
- Артикул
- DMN2990UDJ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- RoHS
- Details
- Brand
- Diodes Incorporated
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series
- DMN2990
Цена по запросу
(от 54,87 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series | DMN2990 |
| Series: | DMN2990 |
| Fall Time | 6.4 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 3.3 ns |
| Fall Time: | 6.4 ns |
| Rise Time: | 3.3 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Dual |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-963-6 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-963-6 |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 0.5 nC |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 500 pC |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 10000 |
| Pd - Power Dissipation | 350 mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 4 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 19 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 450 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 180 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 450 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 180 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 990 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 990 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |