Моя заявка (0)

Diodes Inc DMN Plastic N-Channel MOSFET, 900 mA, 20 V, 3-Pin SOT-323 DMN2710UW-7

Diodes Inc DMN Plastic N-Channel MOSFET, 900 mA, 20 V, 3-Pin SOT-323 DMN2710UW-7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014564088
Артикул
DMN2710UW-7
Бренд
DIODES INC.
Series
DMN
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 21,28 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор DiodesZetex с N-канальным режимом усиления разработан таким образом, чтобы минимизировать сопротивление в режиме включения (RDS(ON)) при соxранении превосxодныx xарактеристик переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.

Технические параметры

SeriesDMN
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-323
Корпусsot-323
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation470мВт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialPlastic
Особенности-
Maximum Drain Source Voltage20 V
Maximum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance0.45 O
Drain Source On State Resistance0.13Ом
Maximum Continuous Drain Current900 mA
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока900мА
Рассеиваемая Мощность470мВт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1В
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-323
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.13Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.47
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация