DMN2710UT-13, Power MOSFET, N Channel, 20 V, 870 mA, 0.14 ohm, SOT-523, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008571309
- Артикул
- DMN2710UT-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.008
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 520мВт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 44 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.008 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 520мВт |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 320mW |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 600pC@4.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 42pF@16V |
| Continuous Drain Current (Id) | 870mA |
| Drain Source On State Resistance | 0.14Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 870мА |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-523 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.87 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.14 Ом |