DMN2600UFB-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X1-DFN1006-3 T&R 3K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004613382
- Артикул
- DMN2600UFB-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMN26
- Product:
- MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 25,81 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMN26 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Вес, г | 0.08 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | X1-DFN1006-3 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 850 pC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 540mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 540 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 850pC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 70.13pF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.3A |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 600 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 450 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 350mΩ@4.5V, 200mA |