DMN25D0UFA-7B, MOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.63W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005475181
- Артикул
- DMN25D0UFA-7B
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- 8V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 54,18 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | 8V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.0008 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | X2-DFN0806-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 360 pC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 400mA, 4.5V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 360 mW |
| Power Dissipation (Max) | 280mW(Ta) |
| Supplier Device Package | X2-DFN0806-3 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.36 nC @ 4.5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 320 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 Ohms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 27.9 pF @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 240mA(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.63 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |