DMN2550UFA-7B, MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 8 VGS 52.5pF 0.88nC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005626998
- Артикул
- DMN2550UFA-7B
- Бренд
- DIODES INC.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±8V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 367
Цена по запросу
(от 28,81 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 20V N-Ch Enh FET 8 VGS 52.5pF 0.88nC
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 367 |
| Серия | DMN25 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 36 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 360mW(Ta) |
| Supplier Device Package | X2-DFN0806-3 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X2-DFN0806-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.88 nC @ 4.5 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 880 pC |
| Время нарастания | 11 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 52.5 pF @ 16 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 600mA(Ta) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 600 mA |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 450 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 105 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.1 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |