DMN24H11DSQ-7, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069769226
- PartNumber
- DMN24H11DSQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 5
- Корпус
- SOT-23
- Структура
- MOSFET
- Пороговое напряжение на затворе
- -20 V, +20 V
Цена по запросу
(от 38 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Вес, г | 5 |
| Корпус | SOT-23 |
| Структура | MOSFET |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 240 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.27 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 11 Ohms |