Моя заявка (0)
DMN24H11DSQ-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V-250V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059215
Артикул
DMN24H11DSQ-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
102.3 ns
Rise Time:
4.7 ns
Вес, г
5
Цена по запросу
(от 88,62 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:102.3 ns
Rise Time:4.7 ns
Вес, г5
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:3.7 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.2 W
Typical Turn-On Delay Time:4.8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:17.5 ns
Id - Continuous Drain Current:270 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В240 V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.75
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)11 Ohms

Техническая документация