DMN24H11DS-7, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029618255
- Артикул
- DMN24H11DS-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- SOT23
- Type
- N Channel
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 63,50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
240 В 270 мА 750 МВт 11 ОМ при 10 В, 300 мА 3 В при 250uA N-канальные МОП-транзисторы SOT-23 ROHS
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Type | N Channel |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 3.7nC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 0.22A |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | 7 inch reel, tape |
| Power dissipation | 1.2W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 12Ω |
| Drain-source voltage | 240V |
| Pulsed drain current | 0.8A |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 750mW |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 3.7nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 76.8pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 270mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 240 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 11Ω@10V, 300mA |