Моя заявка (0)
DMN2450UFD-7, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062435255
Артикул
DMN2450UFD-7
Бренд
DIODES INC.
Width
1.25mm
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 40,26 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 8V-24V

Технические параметры

Width1.25mm
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeX1-DFN1212
Mounting TypeSurface Mount
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage1.2V
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада5.6 ns
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation890 mW
Typical Gate Charge @ Vgs0.7 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage±12 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокX1-DFN1212-3
Maximum Drain Source Voltage20 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Maximum Gate Threshold Voltage1V
Minimum Gate Threshold Voltage0.45V
Qg - заряд затвора700 pC
Maximum Drain Source Resistance1.6 mΩ
Время нарастания2.4 ns
Maximum Continuous Drain Current900 mA
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности800 mW
Id - непрерывный ток утечки900 mA
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток600 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения20.9 ns
Типичное время задержки при включении3.7 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток450 mV

Техническая документация