Моя заявка (0)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 900 mA, 20 V, 3-Pin X1-DFN1212 DMN2450UFD-7

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 900 mA, 20 V, 3-Pin X1-DFN1212 DMN2450UFD-7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014511281
Артикул
DMN2450UFD-7
Бренд
DIODES INC.
Width
1.25mm
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 23 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Этот МОП-транзистор разработан таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление в режиме включения (RDS(ON)) и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.

Технические параметры

Width1.25mm
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeX1-DFN1212
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage1.2V
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада5.6 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation890 mW
Typical Gate Charge @ Vgs0.7 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage±12 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокX1-DFN1212-3
Maximum Drain Source Voltage20 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Maximum Gate Threshold Voltage1V
Minimum Gate Threshold Voltage0.45V
Qg - заряд затвора700 pC
Maximum Drain Source Resistance1.6 mΩ
Время нарастания2.4 ns
Maximum Continuous Drain Current900 mA
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности800 mW
Id - непрерывный ток утечки900 mA
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток600 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения20.9 ns
Типичное время задержки при включении3.7 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток450 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.45
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация