DMN2400UV-7, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 20В, 0,84А, 0,53Вт, SOT563
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017537781
- Артикул
- DMN2400UV-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 1.25mm
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.02
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 45,55 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 1.25mm |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.02 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-563 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 530 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.9V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.33 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.84 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.53 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |