Моя заявка (0)

DMN2400UFB4-7, MOSFETs MOSFET N-CHANNEL DFN DFN1006-H43 GREEN 3K

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8040419069
Артикул
DMN2400UFB4-7
Бренд
DIODES INC.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
FET Type
N-Channel
Цена по запросу
(от 27,94 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 20 В 750 мА (Ta) 470 МВт (Ta) для поверxностного монтажа X2-DFN1006-3

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0095
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)В±12V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Вес, г1
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case3-XFDFN
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250ВµA
СтруктураN-Channel
Base Product NumberDMN2400 ->
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs550mOhm @ 600mA, 4.5V
Особенности-
Power Dissipation (Max)470mW (Ta)
Supplier Device PackageX2-DFN1006-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds36pF @ 16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C750mA (Ta)
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация