Моя заявка (0)
DMN2300UFL4-7, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062455511
Артикул
DMN2300UFL4-7
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
1
Серия:
DMN23
Технология:
Si
Power Dissipation (Pd)
1.39W
Цена по запросу
(от 38 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Вес, г1
Серия:DMN23
Технология:Si
Power Dissipation (Pd)1.39W
Вид монтажа:SMD/SMT
Время спада:13 ns
Тип продукта:MOSFET
Конфигурация:Dual
Подкатегория:MOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)3.2nC@4.5V
Производитель:Diodes Incorporated
Input Capacitance (Ciss@Vds)128.6pF@25V
Торговая марка:Diodes Incorporated
Упаковка / блок:X2-DFN1310-6
Continuous Drain Current (Id)2.11A
Канальный режим:Enhancement
Тип транзистора:2 N-Channel
Qg - заряд затвора:1.6 nC
Время нарастания:2.8 ns
Категория продукта:МОП-транзистор
Количество каналов:2 Channel
Полярность транзистора:N-Channel
Pd - рассеивание мощности:530 mW
Id - непрерывный ток утечки:2.11 A
Vgs - напряжение затвор-исток:-8 V, +8 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:195 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:20 V
Минимальная рабочая температура:-55 C
Максимальная рабочая температура:+150 C
Типичное время задержки выключения:38 ns
Типичное время задержки при включении:3.5 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :450 mV
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки:3000

Техническая документация