Моя заявка (0)
DMN2300U-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23,3K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004701682
Артикул
DMN2300U-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN22
Fall Time:
13 ns
Rise Time:
2.8 ns
Цена по запросу
(от 58,76 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN22
Fall Time:13 ns
Rise Time:2.8 ns
Вес, г0.2
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Корпусsot23
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:1.6 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:550 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:3.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:38 ns
Id - Continuous Drain Current:1.4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:175 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:450 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-8 V, +8 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.55
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)175 mOhms

Техническая документация