Моя заявка (0)

DMN22M5UFG-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 2K

DMN22M5UFG-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 2K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006312678
Артикул
DMN22M5UFG-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
44.5 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
22.5 ns
Цена по запросу
(от 125,20 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:44.5 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:22.5 ns
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:PowerDI3333-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:53 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:8.1 ns
Typical Turn-Off Delay Time:72.1 ns
Id - Continuous Drain Current:27 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:2.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.3 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация