DMN2250UFB-7B, MOSFETs N-CH MOSFET 20V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075481021
- Артикул
- DMN2250UFB-7B
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.08
- Серия
- DMN22
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 32,57 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-CH МОП-транзистор 20V
Технические параметры
| Вес, г | 0.08 |
| Серия | DMN22 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 25.4 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X1-DFN1006-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 3.1 nC |
| Время нарастания | 6.1 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.35 A |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 170 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 59.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.3 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 350 mV |