Моя заявка (0)
DMN2250UFB-7B, MOSFETs N-CH MOSFET 20V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059209
Артикул
DMN2250UFB-7B
Бренд
DIODES INC.
Серия
DMN22
Вес, кг
1.5
Структура
N-Channel
Технология
Si
Цена по запросу
(от 37,27 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-CH МОП-транзистор 20V

Технические параметры

СерияDMN22
Вес, кг1.5
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада25.4 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокX1-DFN1006-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора3.1 nC
Время нарастания6.1 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности500 mW
Id - непрерывный ток утечки1.35 A
Размер фабричной упаковки10000
Vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 8 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток170 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+150 C
Типичное время задержки выключения59.4 ns
Типичное время задержки при включении4.3 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток350 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В8 V, +8 V
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)170 mOhms

Техническая документация