DMN21D2UFB-7B, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 10
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059205
- Артикул
- DMN21D2UFB-7B
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 42,75 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 20V 0,76A с 3-контактным разъемом DFN T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 0.001 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DFN |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | DFN |
| Power Dissipation (Pd) | 380mW |
| Typical Fall Time (ns) | 6.4 |
| Typical Rise Time (ns) | 3.3 |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 930pC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 27.6pF@16V |
| Continuous Drain Current (Id) | 760mA |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 900 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 0.86 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.86@10V|0.47@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 19 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.76 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 27.6@16V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 990@4.5V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.38 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 990mΩ@100mA, 4.5V |