DMN2120UFCL-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN1616-6 T&R 3K
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059204
- Артикул
- DMN2120UFCL-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 1.7 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 2.7 ns
Цена по запросу
(от 40,01 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 1.7 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 2.7 ns |
| Вес, г | 9 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | U-DFN1616-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | U-DFN1616-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 2.8 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 450 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 0.6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 4.2 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.16 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |