DMN2100UDM-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 2,5А, 0,6Вт, SOT26
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062485916
- Артикул
- DMN2100UDM-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.1
- Длина
- 3 mm
- Серия
- DMN21
- Высота
- 1.1 mm
Цена по запросу
(от 74,07 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 900mW 20Vdss
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Длина | 3 mm |
| Серия | DMN21 |
| Высота | 1.1 mm |
| Ширина | 1.6 mm |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-26-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 8.8 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 900 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.3 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 55 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |