Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059200
Артикул
DMN2080UCB4-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
816 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
268 ns
Цена по запросу
(от 68,36 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:816 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:268 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:X2-WLB0808-4
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:X2-WLB0808-4
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:7.4 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.25 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-5 V, +5 V
Typical Turn-On Delay Time:152 ns
Typical Turn-Off Delay Time:1245 ns
Id - Continuous Drain Current:4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:43 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:400 mV
Пороговое напряжение на затворе1V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация