DMN2075U-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 3,4А, 800мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017532634
- Артикул
- DMN2075U-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 1.4mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 5
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 23,52 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор DMN2075U-7 — изделие серии DMN207. Характеристики Обозначение: DMN2075U-7 Категория: Транзисторы / Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Параметры: полевой MOSFET N-Ch 20V 3.4A 0.8W Масса: 0.008 г Производитель: DIODES Единица измерения: шт
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | sot23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 800 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 45 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.2 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |