DMN2058UW-7, МОП-Транзистор SOT-323-3 МОП-Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017656048
- Артикул
- DMN2058UW-7
- Бренд
- DIODES INC.
- ECCN
- EAR99
- Brand
- Diodes Incorporated
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Width
- 1.4mm
Цена по запросу
(от 35,51 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 20 В 3,5 А (Ta) 500 МВт (Ta) для поверxностного монтажа SOT-323
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Brand | Diodes Incorporated |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Width | 1.4mm |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Fall Time | 3.3 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 4.9 ns |
| Vgs (Max) | В±12V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.2 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package Type | SOT-23 |
| Product Type | MOSFET |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Корпус | sot-323 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 7.7 nC |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250ВµA |
| Структура | МОП-транзистор |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Base Product Number | DMN2058 -> |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Pd - Power Dissipation | 0.7 mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 3A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.13 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 2 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | ±12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 9.9 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 3.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 91 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.0315Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.6 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 42 mOhms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 281pF @ 10V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 10V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 400 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 3.5А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.5A (Ta) |
| Рассеиваемая Мощность | 500мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0315Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |