DMN2058U-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 4,3А, 0,74Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017543665
- Артикул
- DMN2058U-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand
- Diodes Incorporated
- Width
- 1.4mm
- Series
- DMN2058U
- Packaging
- Cut Tape or Reel
Цена по запросу
(от 12,33 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Width | 1.4mm |
| Series | DMN2058U |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package Type | SOT-23 |
| Product Type | MOSFET |
| Корпус | sot23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Product Category | MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.13 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 91 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.6 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.74 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |