Моя заявка (0)

DMN2056U-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 3,7А, 0,94Вт, SOT23

DMN2056U-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 3,7А, 0,94Вт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017543794
Артикул
DMN2056U-7
Бренд
DIODES INC.
Brand
Diodes Incorporated
Width
1.4mm
Series
DMN2056U
Packaging
Cut Tape or Reel
Цена по запросу
(от 7,76 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 3,7А, 0,94Вт, SOT23

Технические параметры

BrandDiodes Incorporated
Width1.4mm
SeriesDMN2056U
PackagingCut Tape or Reel
Pin Count3
TechnologySi
Вес, г5
SubcategoryMOSFETs
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerDiodes Incorporated
Package TypeSOT-23
Product TypeMOSFET
Корпусsot23
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-23-3
Product CategoryMOSFET
СтруктураMOSFET
Factory Pack Quantity3000
Forward Diode Voltage1.2V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation940 mW
Typical Gate Charge @ Vgs4.3 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage20 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage1V
Minimum Gate Threshold Voltage0.4V
Maximum Drain Source Resistance85 mΩ
Maximum Continuous Drain Current4 A
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.94
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация