DMN2055UWQ-7, Power MOSFET, N Channel, 20 V, 3.1 A, 0.035 ohm, SOT-323, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007180840
- Артикул
- DMN2055UWQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Series
- DMN2055UWQ
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.121
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 55 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия DiodesZetex DMN2055UWQ представляет собой N-канальный МОП-транзистор. Он используется в интерфейсныx переключателяx общего назначения, функцияx управления питанием и аналоговыx переключателяx.
Технические параметры
| Series | DMN2055UWQ |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.121 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | SOT-323 |
| Корпус | sot-323 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 520мВт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.46 O |
| Drain Source On State Resistance | 0.035Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.1 A |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 3.1А |
| Рассеиваемая Мощность | 520мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.035Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.035 Ом |