Моя заявка (0)
DMN2055U-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069779420
Артикул
DMN2055U-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
4.4 ns
Rise Time:
2.7 ns
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 37,50 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:4.4 ns
Rise Time:2.7 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Корпусsot23
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:4.3 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:2.8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:15.4 ns
Id - Continuous Drain Current:4.8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:38 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:400 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация