DMN2046U-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 2,7А, 0,76Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003041558
- Артикул
- DMN2046U-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMN2046
- Fall Time:
- 34.1 ns
- Rise Time:
- 25.1 ns
Цена по запросу
(от 40,85 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMN2046 |
| Fall Time: | 34.1 ns |
| Rise Time: | 25.1 ns |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 760мВт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.8 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 760 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 69.1 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.072Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 72 mOhms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 3.4А |
| Рассеиваемая Мощность | 760мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.072Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.76 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |