DMN2041UVT-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059189
- Артикул
- DMN2041UVT-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 17 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 21 ns
Цена по запросу
(от 65,16 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 17 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 21 ns |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Вес, кг | 1.09 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSOT-26-6 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9.1 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.1W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.1 W |
| Квалификация | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 9.1nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Power Dissipation N Channel | 1.1Вт |
| Power Dissipation P Channel | 1.1Вт |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 689pF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 32 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.8A |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 28 mOhms |
| Линейка Продукции | - |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 5.8А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.1Вт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.017Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.017Ом |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 900мВ |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSOT-26 |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 5.8А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 5.8А |
| Пороговое напряжение на затворе | 900mV@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 20В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.017Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 28mΩ@8.2A, 4.5V |