DMN2028USS-13, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 7,3А, 12,5Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017540756
- Артикул
- DMN2028USS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 1PCSNChannel
- Type:
- N-Channel Enhancement Mode MOSFET
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMN2028
Цена по запросу
(от 69,10 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Type: | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMN2028 |
| Fall Time: | 12.33 ns |
| Rise Time: | 12.49 ns |
| Вес, г | 0.2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 11.6 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.56W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.56 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 11.6nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11.67 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1nF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35.89 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 7.3A |
| Id - Continuous Drain Current: | 9.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 16 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 12.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 20mΩ@9.4A, 4.5V |