Моя заявка (0)

DMN2025UFDF-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

DMN2025UFDF-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004613375
Артикул
DMN2025UFDF-7
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
562
Структура
MOSFET
Технология
Si
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 56,01 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K

Технические параметры

Вес, г562
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада9.3 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокU-DFN2020-6
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора12.3 nC
Время нарастания5.4 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности1.6 W
Id - непрерывный ток утечки6.5 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток10 V, + 10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток25 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения17.6 ns
Типичное время задержки при включении3.4 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток500 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация