Моя заявка (0)

DMN2023UCB4-7, DiodesZetex N-Kanal Dual, SMD MOSFET 24 V / 6 A 1,45 W, 4-Pin X1-WLB1818

DMN2023UCB4-7, DiodesZetex N-Kanal Dual, SMD MOSFET 24 V / 6 A 1,45 W, 4-Pin X1-WLB1818

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063882810
Артикул
DMN2023UCB4-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN2023
Fall Time:
29 ns
Rise Time:
20 ns
Цена по запросу
(от 126,69 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN2023
Fall Time:29 ns
Rise Time:20 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:X1-WLB1818-4
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:29 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:1.45 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:75 ns
Id - Continuous Drain Current:6 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:27 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:24 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация