Моя заявка (0)
DMN2022UFDF-7, Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002217219
Артикул
DMN2022UFDF-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN2022
Fall Time:
239 ns
Rise Time:
87 ns
Цена по запросу
(от 28 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN2022
Fall Time:239 ns
Rise Time:87 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DFN-2020-6
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:18 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.03 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:56 ns
Typical Turn-Off Delay Time:632 ns
Id - Continuous Drain Current:7.9 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:35 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация