Моя заявка (0)

DMN2019UTS-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V 24V TSSOP-8 T&R 2.5

DMN2019UTS-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V 24V TSSOP-8 T&R 2.5

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059180
Артикул
DMN2019UTS-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN2019
Fall Time:
234 ns
Rise Time:
78 ns
Цена по запросу
(от 61,04 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN2019
Fall Time:234 ns
Rise Time:78 ns
Вес, г33
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSSOP-8
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:8.8 nC
Структура2 N-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:780 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:53 ns
Typical Turn-Off Delay Time:562 ns
Id - Continuous Drain Current:5.4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:24 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:950 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пороговое напряжение на затворе-12 V, +12 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.78
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)24 mOhms

Техническая документация