DMN2016UTS-13, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070191765
- Артикул
- DMN2016UTS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 2 N-Channel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Product:
- MOSFET Small Signals
- Fall Time:
- 16.27 ns
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Type | 2 N-Channel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time: | 16.27 ns |
| Rise Time: | 11.66 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSSOP-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16.5 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 880mW |
| Pd - Power Dissipation: | 880 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 16.5nC@4.5V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10.39 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.495nF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 59.38 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 8.58A |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.58 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |