DMN2016LHAB-7, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566914
- Артикул
- DMN2016LHAB-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 2 N-Channel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вес, г
- 0.04
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 42 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 7,5 А 15.5mOhm@4.5V,4A 1,2 Вт 1.1V@250uA 2 N-канальныx МОП-транзистора U-DFN2030-6-EP, соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | 2 N-Channel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | U-DFN2030-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 16 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 1.2W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.65 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 7.5A |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 30 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 15.5mΩ@4.5V, 4A |