DMN2013UFDE-7, Power MOSFET, N Channel, 20 V, 10.5 A, 0.0084 ohm, U-DFN2020, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012526696
- Артикул
- DMN2013UFDE-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.121
- Серия
- DMN2013
- Структура
- N-Channel
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 133 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
Технические параметры
| Вес, г | 0.121 |
| Серия | DMN2013 |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 20.8 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | DFN-2020-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 25.8 nC |
| Время нарастания | 24.5 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 660 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 10.5 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 66.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.66 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0084 Ом |