DMN2009LSS-13, Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001147007
- Артикул
- DMN2009LSS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 66 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 20V 12A с 8-контактным разъемом SOP T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Package Width | 4.25(Max)mm |
| Package Length | 4.6(Max)mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOP |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SO |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 58.3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 28.9@4.5V|58.3@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±12 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 12 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2555@10V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 8@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |