Моя заявка (0)
DMN2005UPS-13, MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059174
Артикул
DMN2005UPS-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN2005
Вес, г
0.1
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 128,02 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN2005
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI5060-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:142 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:3 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Id - Continuous Drain Current:20 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:4.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:400 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация