DMN2005UFG-13, Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002218400
- Артикул
- DMN2005UFG-13
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 53 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 20V 18A с 8-контактным разъемом PowerDI EP T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | PowerDI EP |
| Maximum IDSS (uA) | 10 |
| Структура | N-Channel |
| Typical Fall Time (ns) | 38 |
| Typical Rise Time (ns) | 25.7 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2270 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 164 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 164@10V|68.8@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12.4 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 114 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1.2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 18 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 6495@10V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4.6@4.5V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |