DMN2005LPK-7, Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin X1-DFN T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001290698
- Артикул
- DMN2005LPK-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMN2005
- Product:
- MOSFET Small Signal
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 20 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 0,44А, 0,45Вт, DFN1006-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMN2005 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | X1-DFN1006-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 450 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 440 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 530 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.44 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |