DMN2005K-7, Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001097006
- Артикул
- DMN2005K-7
- Бренд
- DIODES INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Type
- 1PCSNChannel
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
Цена по запросу
(от 27 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Type | 1PCSNChannel |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | DMN2005 |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 1.3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package Height | 0.98 |
| Package Length | 2.9 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Maximum IDSS (uA) | 10 |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | SOT |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 350 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 300 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.9V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 350 |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.5 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 6 |
| Maximum Continuous Drain Current | 600 mA |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.4 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.7 Ohms |
| Typical Diode Forward Voltage (V) | 0.7 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 0.9 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 0.53 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.3 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -65 to 150 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1700@2.7V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 530 mV |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 5000 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 10 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 0.6 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W) | 0.35 |
| Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A) | 0.3 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |